Vicor Corporation · NASDAQ:VICR
Vicor — Technical Presentation (2019)
47 slides from Vicor's technical presentation, Oct 29, 2019
Slide 1: 高密度电源系统的 PCB 布局与散热设计技术
高密度电源系统的 PCB 布局与散热 设计技术 刘广缘 高级应用工程师 ©2019 Vicor 1
Slide 2: 概要
概要 背景 散热设计注意事项 PDN 概览: 大电流路由 布局寄生注意事项 实例 结论 ©2019 Vicor 2
Slide 3: 背景
背景 PCB 布局是系统散热及供电的关键 设计人员往往会忽略 PCB ,导致设计欠佳、性能不足 本次研讨会将涵盖 PCB 设计的各个重要方面,以最大限度改善热传 递并最大限度降低供电阻抗及损耗 ©2019 Vicor 3
Slide 4: 散热 — 概览
散热 — 概览 两个主要的传热路径 散热器 / 散热板 PCB ©2019 Vicor 4
Slide 5: 散热 — 热传递
散热 — 热传递 对流 传导 通过加强气流(或其它液体)传热 直接接触传热 ©2019 Vicor 5
Slide 6: 散热 — 电阻
将热传递建模为等效电路: 功耗 = 电流源 散热 — 电阻 热阻抗 = 电阻器 温度场边界 = 电压源 在风冷系统中,传导至散热器和 PCB 的热量必须通过对流传递给 周围空气。 表面积增加 = 热传递增加(热阻抗更低) RϴJC ϴJCΘJC T TCASE CASE Θϴ JB JB PDISS Pdiss T-OUT_TOP TPCBTPCB 等效电路模型 RϴJB ©2019 Vicor 6
Slide 7: 散热 — 电阻
散热 — 电阻 0.6 C/W ϴINT_-OUT_TOP 0.9 C/W 1.7 C/W 2.0 C/W 12 C/W ϴINT_-OUT_BOT ϴINT_-OUT_PINS ϴINT_+OUT_PINS ϴINT_SIG 复杂的散热模型: T-OUT_TOP T-OUT_BOT T-OUT_PINS T+OUT_PINS TSIG 为每个网络 /PCB 落点分离热阻抗 确定最低电阻路径 — 最大限度增 加 PCB 上的铜 ©2019 Vicor 7
Slide 8: 热通孔
热通孔 FR4 对传热无效(绝缘体) 仅顶侧 热通孔将热量传导至电路板的 另一侧 增加对流散热的有效表面 上下侧 ©2019 Vicor 8
Slide 9: PCB 通孔类型
盲孔:从最外层开始,到 PCB 通孔类型 内层结束 盲埋孔 = 更高密度、更高成本 / 复 杂性 / 更长的交付周期 TH 通孔 = 更低密度、更低成 本 / 复杂性 / 更短的交付周期 埋孔:起点和终点都是内层 通孔:从上到下通过 PCB 钻 标准孔 ©2019 Vicor 9
Slide 10: 焊盘电镀覆盖通孔 (VIPPO)
VIPPO 与传统 焊盘电镀覆盖通孔 (VIPPO) 传统通孔 加盖电镀通孔 VIPPO : 传统: 直接传递至 PCB 更多的寄生 VIPPO 的优势 缺点 环氧树脂填充 高密度、细微间距扇出(如 BGA ) • • 更高成本 / 更长交付周期 • 电感较低 • 制造工艺新增 8-10 个步骤 VIPPO :必须填充并盖上盖子,以防止渗 • 较低热阻 / 电阻 • 增加了填充材料 锡 • 直接传递电流至电路板 • 电路板导热性更好 ©2019 Vicor 10
Slide 11: 热例 — TH 通孔
热例 1 — TH 通孔 LGA 稳压器 + 外部电感器 通孔(无 VIPPO ) VOUT LGA 落点模式 PGND VIN LGA 稳压器散热模型 VIN 、 PGND 、 VOUT = 最低热阻抗: 热通孔和扩展铜箔 ©2019 Vicor 11
Slide 12: 散热示例 — TH 通孔
散热示例 1 — TH 通孔 SIP 顶视图 底视图 顶层的扩展铜箔和散热通 孔可增加对流表面积 VOU T VOUT 焊盘间的散热通孔可 将热量传导至底层 PGND PGN D 对关键网的底层附加 铜 VIN VI N ©2019 Vicor 12
Slide 13: 散热示例 — 焊盘上的通孔
散热示例 2 — 焊盘上的通孔 大电流驱动器模块( MCD ) 焊盘上的通孔 盲孔 / 埋孔 MCD 封装 MCD 散热模型 PGND = 主要散热路径: 热通孔和扩展铜箔 ©2019 Vicor 13
Slide 14: 散热 — 电路仿真
散热 — 电路仿真 根据器件产品说明书构建散热模型 将功耗作为电流源 定义热场边界电压源 — 环境、外壳和 PCB 等。 ©2019 Vicor 14
Slide 15: 散热电路仿真实例
散热电路仿真实例 实例: • 54VIN 、 500A 、 PDISS = 24W • 内部温度限制: 100°C 扫描 TCASE 和 TPCB 50 – 100°C 结果: 使用结果来确定散热设计的温度限制 • TCASE 为 85°C ,最高 TPCB 为 65°C • 当 TPCB 等于 90°C 时,最高 TCASE 等于 50°C ©2019 Vicor 15
Slide 16: 散热 — 总结
散热 — 总结 最大化关键网上的铜箔 – 使用多层板 – 最外层的铜箔最有效 — 扩展经过的部件 – 第一内层应该有铜箔面,用于关键网的储热体 使用热通孔将热量传导至附加层 – PCB 的背面 – 尽量靠近引脚 焊盘中的通孔提供热阻最低的路径 – 可增加成本、复杂性和交付周期 使用器件热模型和仿真来预测散热性能 测量性能,以验证散热设计 — 必要时进行调整 ©2019 Vicor 16
Slide 17: 供电网络 (PDN)
供电网络 (PDN) 大电流模块 ©2019 Vicor 17
Slide 18: PDN
PDN 去耦 插槽 旁路 分配至 传感点 VR 输出级 电容 插槽 电容 + 通孔 引脚 稳压器与 CPU 之间的供电网络 包括电源平面、电容器、通孔和插槽 ©2019 Vicor 18
Slide 19: 输出阻抗
输出阻抗 高 di/dt 负载阶跃响应受转换器开环输出阻抗和 PDN 主 导 ΔV = ΔI*ZOUT ZOUT 开环输出阻抗 ZOUT_CL = ZOUT above Crossover ZOUT_CL = 闭环 BW 内的 ZOUT/T (等于开环阻抗) (环路增益可降低开环阻抗) ©2019 Vicor 19
Slide 20: PDN 对负载瞬态的影响
PDN 对负载瞬态的影响 PDN 阻抗不包括 VR 负载阶跃的重要频率范围 PDN 阻抗 与频率 ©2019 Vicor 20
Slide 21: PDN 对负载瞬态的影响
PDN 对负载瞬态的影响 1000A/µs 50 – 550A 负载阶跃 500A/µs 250A/µs 假设“完美” VR 的 ZOUT= 0Ω ,由于插槽和 PCB 的原因, 500A 瞬态电流 (500A/µs) 会产生大约 120mV 的电压偏差 压摆率越快,频率激发就越高 ©2019 Vicor 21
Slide 22: PDN 对负载瞬态的影响
PDN 对负载瞬态的影响 VSENSE 的总体响应 开环 — 不包括 VR 在稳压器和插槽之 间分离 PCB L 和 R RDIST 的影响 LDIST 总体 ©2019 Vicor 22
Slide 23: PCB 布局注意事项
PCB 布局注意事项 电源平面 – 各平面的电阻和电感 – PCB 功耗 – 通孔的电阻和布局 电容器 – 电容器布局 – ESR 、 ESL 、 FSR – 通孔布局与环路电感 电路板堆栈 – 专用电源 /GND 层的数量 – 铜箔的重量 – 介质厚度 ©2019 Vicor 23
Slide 24: 电路板堆栈与板面计划
电路板堆栈与板面计划 预先定义很重要 – 整体层数与定义 电源 / 接地层的数量 专用信号布线层 – 电路板与介质厚度 网和层阻抗控制布线或特殊注意事项 ©2019 Vicor 24
Slide 25: 电路板堆栈 — 层实例
受控制的阻抗 寄生电感限制 电路板堆栈 — 14 层实例 寄生电容限制 负载 ©2019 Vicor 25
Slide 26: 电源平面的电阻 — 平方法
电源平面的电阻 — 平方法 对于一平方铜箔 W = L 电阻与大小无关 R = 总电阻 A = 平面的横截面积 W = 宽度 T = 厚度,由铜箔重量决定 Ρ = 铜的电阻率,温度在 25°C 时,通常为 1.7µΩ-cm (0.67µΩ-cm) 铜重量( oz ) 厚度(毫米) [ 密耳 ] 25°C 时, mΩ/ 平方 0.5 0.02 [0.7] 1.0 1 0.04 [1.4] 0.5 2 0.07 [2.8] 0.25 ©2019 Vicor 26
Slide 27: 电源平面的电感 — 经验法则
电源平面的电感 — 经验法则 = 两个相邻平行电源平面的每平方电感约为 32pH/mil 的介质 实例: 3.1 密耳介质大约每平方 100pH * * Eric Bogatin , EDN 经验法则, 2014 年 9 月 16 日 ©2019 Vicor 27
Slide 28: 通孔电阻
通孔电阻 电流 横截面积 通孔电阻相当于等效横截面积 和等效长度的迹线的电阻 镀层厚度 材料 µΩ-cm µΩ-in 孔直径 铜箔 1.70 0.67 铜(镀) 6.0 2.36 金 2.2 0.87 * 注:镀铜电阻率可能高于纯铜; 请咨询 PCB 厂商 * 构建您的电源 — 布局注意事项。 www.ti.com/lit/ml/slup230/slup230.pdf ©2019 Vicor 28
Slide 29: 通孔实例
电流 通孔实例 通孔详细信息: 6 密耳钻孔, 1 密耳镀铜 68 密耳长 0.67µΩ-in (铜)电阻率 = ©2019 Vicor 29
Slide 30: 通孔电感
通孔电感 其中: Lvia = 通孔的电感( nH ) D = 通孔的直径(英寸)。 H = 通孔的长度(英寸)。 * Johnson and Graham , 《高速数字设计》第 259 页 ©2019 Vicor 30
Slide 31: 导体的电流 — 承载能力
导体的电流 — 承载能力 使用 IPC 载流能力指南 IPC-2221A 和 IPC-2152 温升与电流及横截面的对 比 保守曲线适用于内外部导 体 实例:电流为 12A 时, 100 密耳迹线、 2oz 铜、 30°C 温度上升 IPC2221A — 保守降额指南 31
Slide 32: 通孔电流 — 承载能力
通孔电流 — 承载能力 摘自 IPC-2152 第 26 页: – 通孔的横截面积应至少等于导体的横截面积,或者大于进入通孔的导体的 横截面积。如果通孔的横截面积小于导体,则可使用多个通孔来确保横截 面积与导体相同。 ©2019 Vicor 32
Slide 33: 寄生电容
寄生电容 其中: H = 平面间距 (cm) A = 通用平面的面积 (cm2) εr = 介质磁导率( FR-4 为 4.5 ) 较低的介质间距会降低电感 但会增加电容 数据来源:高速模拟设计与应用研讨会: http://www.ti.com/lit/ml/slyp173/slyp173.pdf http://www.ti.com/lit/ml/slyp173/slyp173.pdf ©2019 Vicor 33
Slide 34: 去耦电容器的选择
去耦电容器的选择 注意事项: 低 ESR 对过滤高 频率开关电流至关 0402 重要 1206 电容器等效电路模型 对超过 FSR 的滤 波无效 — 根据信 号频率检查 FSR 、 ESL 更小的电容,通常 对于更高频率的滤 ESR 波更有效 自谐振频率 (FSR) ©2019 Vicor 34
Slide 35: 小型陶瓷电容器 MLCC 和 LICC
小型陶瓷电容器 MLCC 和 LICC 1> 产品说明书: 3> 仿真: CMLCC CLICC IN 0.9µ 0.9µ AC 1 0 RMLCC RLICC V1 9m 8.5m LMLCC LLICC 0.9n 160p .ac dec 511 100k 1G V(in)/I(Rmlcc) V(in)/I(Rlicc) 10 100° 60° 1 20° 0.1 -20° 0.01 -60° 0.001 -100° 100KHz 1MHz 10MHz 100MHz 1GHz ©2019 Vicor 35
Slide 36: 通孔环路电感
通孔环路电感 电感随环路面积增大而增大 ©2019 Vicor 36
Slide 37: 去耦电容布置
去耦电容布置 Worse 让旁路电容器 通孔布置和电容器焊盘 尽量靠近器件引脚。 的间距很重要! 使用平面连接 最小化通孔间隔。 靠近焊盘布局 通孔或使用 VIPPO 为高频率旁路使用较小的电 容器 (0402) Better 反向几何电容可提供更低的 电感 ©2019 Vicor 37
Slide 38: 大电流示例
大电流示例 大电流模块 HC PDN 插槽去耦 / 负载 (底部) LOAD HC PDN 旁路电容 0.8V 650A TDC 1200A 峰值 底部 ( 负载 ) 视图 1048 引脚 1 毫米间距 BGA 顶视图 ©2019 Vicor 38
Slide 39: 大电流示例
大电流示例 对于大电流设计,必须使用 大平面并最大限度增加专门 用于电源 / 返回的层 内部层使用 2 盎司铜 14 层 PCB VDD 和 VSS 层交错,以最 大限度减少电感 ©2019 Vicor 39
Slide 40: 大电流示例 — 通孔
大电流示例 — 通孔 L2 L1 (上面) 焊盘中 6 密耳的 L1-L2 通 孔 上 每个终端 6x 面 每个 GND 焊盘 11x 8 密耳 L2-L13 通孔 18 密耳 L2-L13 通孔 通孔堆叠在 L2l 上 L2-L13 焊盘中 6 密耳的 L14-L13 底 通孔 部 每个 BGA 1x 18 密耳 L13-L2 堆叠 电容器直接对着每对 BGA 的 1 L2 和 L1 叠加 L14 (底部) 焊盘中 6 密耳的 L1-L2 通孔 每个电容器焊盘 2x ©2019 Vicor 40
Slide 41: 去耦实例
去耦实例 负载瞬态 10,000A/µs 时, 1,000A CPU 上面的插槽中的电 CH1 Vout : 100mV/div 时间基准: 200nsec/div 容将对 PDN 的负载去耦 CH2 : Iout : 300A/div 器件输出端的电容可衰减纹波 焊盘上的通孔 0402 电容跨引脚布置 3.0MHz 有效纹波频率 ©2019 Vicor 41
Slide 42: 大电流示例:瞬态响应
大电流示例:瞬态响应 CH1 Vout : 100mV/div 时间基准: 200nsec/div CH2 : Iout : 300A/div CH1 Vout : 100mV/div 时间基准: 5usec/div CH2 : Iout : 300A/ div 大约 10,000A/µs 时,瞬态电流为 100A 至 1100A 约 160mV 下冲 ©2019 Vicor 42
Slide 43: 寄生电容示例
寄生电容示例 大电流模块驱动 器 VSW (15A RMS) 大电流模块 (x4) 转换节点 VS1/VS2 : • 差分输出:一个驱动器对应四个模块 • 梯形电压: 约 50VP-P (差分) • 正弦电流: 大约 15A RMS • 寄生电容限制: 140pF 的最大 VS1-VS2 电容 • 寄生电感限制: 4nH ©2019 Vicor 43
Slide 44: 寄生电容 — VS1/VS2
寄生电容 — VS1/VS2 VS1-VS2 总电容限制 (140pF) VS1 VS1/VS2 堆叠 (140pF) CVS1_GND CVS1_VS2 VSS A = 0.55in = 3.54838cm 2 2 CVS1-VS2 = 78pF CVS2_GND VS2 CVS1-GND = CVS2-GND = 91pF 等效电路 CTOTAL = = 123.5pF 覆盖在相邻层上的 VS1/VS2 ©2019 Vicor 44
Slide 45: 低电感路由示例 — GA/GB
低电感路由示例 — GA/GB 大平面 — 最小化平 方数 栅极驱动器 GateA/GateB 一个驱动器对应四个模块 5V 、 1.5MHz 在相邻的接地平面之间路由 (tRISE<100ns) (最小化电感) 寄生电感限制: 1nH 堆栈 ©2019 Vicor 45
Slide 46: 结论
结论 如实例所示,高密度 PCB 布局可能非常具有挑战性,因为器件和信号的需求不同 良好的堆叠及板面规划是良好布局的重要基础 布局要作为电气及散热设计的一部分来考虑,还要纳入仿真 PDN 对瞬态性能有很大的影响 高速信号必须考虑路由及通孔寄生现象 可使用工具和经验法则来提取电路板的寄生现象,仿真对性能的影响,从而优化设计 本次研讨会涵盖 PCB 设计的各个重要方面,以最大限度改善热传递并最大限度降低供 电阻抗及损耗 ©2019 Vicor 46
Slide 47: 谢谢大家!有问题吗?
谢谢大家! 有问题吗? 本文包含的、 Vicor 提供的信息仅供一般性参考之用。 Vicor 不对本演示的不准确性、错误或遗漏承担任何责任。电源产品用户仍对与此类使 用有关的设计、测试和工作安全保护负责。 ©2019 Vicor 47