IntelliEPI Inc. (Cayman) · TPEX:4971

IntelliEPI Inc. (Cayman) — Conference Presentation (December 2017)

23 slides from IntelliEPI Inc. (Cayman)'s conference presentation, Dec 12, 2017

  1. Slide 1: IntelliEPI

    4971 <2 IntelliEP/ Be FF Be P32 AR 1 BAR

  2. Slide 2: 公司簡介-基本資料

    公司簡介-基本資料  成立時間：1999年1月1日  技術團隊成員經歷: 德州儀器公司, 太空總署推進實驗室, AT&T貝爾實驗室  核心技術： 分子束磊晶(MBE)技術生產三五族磊晶片 即時監控系統精確控制磊晶層成長(美國專利)  工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA  台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓  商業模式： 三五族半導體MBE磊晶晶片代工製造廠 (砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵磊晶晶片) 2 2

  3. Slide 3: 三五族半導體產業上中下游介紹

    三五族半導體產業上中下游介紹 基板 Sumitomo, AXT (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 磊晶片 IET, IQE, 全新, (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 聯亞 晶圓製程 穩懋, 宏捷, 華興 光, 光環, 索爾思 聯鈞 半導體封裝 IDM: Skyworks, Avago, Qorvo 行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片 • • • • RFID • • • • Wi-Fi • • • • • • 穿平手 測智醫 太車無 有 驅收 戴板機 試慧療 空用線 線 動發 與型 電基 電 IC 裝 模 / 置 量能 國子地連視 組 測源 防 台結 / / 系 防 衛 統 撞 雷 星 通

  4. Slide 4: 英特磊生產什麼

    英特磊生產什麼  磊晶片 MBE長磊晶機台 基板 磊晶片 (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) • 不同顏色代表不同化學成分與 不同晶格大小 • 每一層厚度、成份、摻雜濃度 須經磊晶結構設計師模擬計算 • 磊晶片品質: 決定電子元件品 質, 效能, 良率 4

  5. Slide 5: 產品應用領域介紹

    產品應用領域介紹 主要產品: •砷化鎵(GaAs)磊晶晶片 mm 0.25 Base –S公司和Q公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi Emitter 連結, 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智 Collector 慧型能源系統, 測試與量測, 物聯網產業應用 –U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達 –潛在市場: 面射型雷射(VCSEL)用於3D感測及光通訊Data Center市場 •磷化銦(InP)磊晶晶片 –K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器) –S公司(HBT):高頻特殊應用, LD dri

  6. Slide 6: 產品應用領域介紹 (GaSb)

    產品應用領域介紹 主要產品：  銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片 – 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視 、保全、國土安全、太空科技等用途 – 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料 – 商業公司:主要應用於夜視、保全 – 新市場機會：銻化銦（InSb)及镉鋅碲（CZT)基板 銻化鎵單晶 美國太空總署紅外線衛 聚焦平面列陣（FPA）紅外 聚焦平面列陣 銻化鎵磊晶片 星攝影於地球表面 線熱影像 （FPA） T2SLS epi-structure 6

  7. Slide 7: 三五半導體器件產品矩陣

    英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示 射頻與微波 高速電子傳輸 光電  手機高頻元  OC768-  光纖網路 件 40Gbps 網路  圖像識別 應用  汽車防撞雷  OC192- 達 10Gbps 網路  國防用途  GaAs pHEMT  InP HBT  GaAs PIN/APD  GaAs mHEMT  InP HEMT  InP PIN/APD 器件類別  InP HEMT  GaAs mHEMT  QWIP  InP HBT  Diode laser (紅色為量產產  GaSb T2 SLS IR 品) detector ． VCSEL 7

  8. Slide 8: 光纖傳輸

    光纖傳輸 資料來源:Online Science • 光以3x108m/s速度行進 • 傳輸資料速度快 • 不受電磁輻射影響 8

  9. Slide 9: 光纖吸收光譜

    光纖吸收光譜 資料來源:POSTS and TELECOM PRESS • 光在光纖中傳輸仍會有損耗，必須考慮各種不同波長的光 在光纖中的吸收 • 波長850nm 在GaAs材料調變範圍: VCSEL，短距離傳輸 • 波長1310nm 在InP材料調變範圍: FP 、 DFB ，長距離傳輸 • 波長1550nm 在InP材料調變範圍: FP 、 DFB ，長距離傳輸 9

  10. Slide 10: VCSEL 應用領域

    VCSEL 應用領域  850nm VCSEL 用於短距離傳輸: 資料中心, 4K/8K HDMI 傳輸 - 資料速度、頻寬、可靠度要求高  940nm VCSEL 用於 3D sensing: Face ID, Lidar - 功率、光點同調性要求高 - 磊晶片均勻性影響良率甚鉅 10

  11. Slide 11: iPhone Face ID

    iPhone Face ID (30000顆光點) 以閃爍方式照射於平面 資料來源:Youtube (Vladimir Sobolev) 以閃爍方式照射於人臉 資料來源:Youtube (Tech Insider) 11

  12. Slide 12: Diffractive Optical Element (DOE)

    Diffractive Optical Element (DOE) 單㇐光點 資料來源:LightTrans International UG • DOE可將單一光源透過衍射形成多個影像 • 影像數目取決於DOE光學結構設計 12

  13. Slide 13: Diffractive Optical Element (DOE) 多重光點

    Diffractive Optical Element (DOE) 多重光點(array) 資料來源:EEPW, 海通證券研究所 • VCSEL 光點矩陣透過光束變形器擴大成與DOE及光學投射透鏡相同尺寸 之光束 • 此光束穿過DOE及光學投射透鏡形成30000顆光點(iPhone) • VCSEL 光點矩陣之每一個光點必須具備同調性，投射出來之光點才不致 失真 • 磊晶片均勻性對同調性至關重要， MBE磊晶片具有優於MOCVD之均勻性 13

  14. Slide 14: MBE 6” VCSEL 晶片 F-P dip mapping

    MBE 6” VCSEL 晶片F-P dip mapping • MBE 6” VCSEL 晶片F-P dip mapping 具絕佳均勻性 14

  15. Slide 15: VCSEL 供應鏈

    VCSEL 供應鏈 • 英特磊客戶現階段鎖定在850nm Data Center 及 940nm 3D sensing於中國大陸手機市場應用 資料來源:報章媒體 15

  16. Slide 16: 5G手機PA 磊晶材料演進

    5G手機PA 磊晶材料演進  4G手機PA  GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz  5G手機PA 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz - 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘 - 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙 - 頻率上符合需求之選項 GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構) - InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小， 只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。  英特磊MBE技術 在成長InP(HBT) 有絕對優勢 - n-type摻雜物濃度比MOCVD高10倍 - 精準

  17. Slide 17: GaAs HBT/pHEMT and InP HBT

    GaAs HBT/pHEMT and InP HBT IE IB IC E 磊晶層 Drain Source B Gate (每層約1um) 磊晶層 C (總厚度約1um) 單晶基板 GaAs substrate 單晶基板 GaAs substrate GaAs HBT GaAs pHEMT • Up to 10 G Hz • Up to 100 G Hz • Suitable for PA • Suitable for SW and LNA 磊晶層 E • HBT製程簡單良率高適合做PA (每層約1um) B C • pHEMT製程較複雜良率較難控制 單晶基板 InP substrate 不

  18. Slide 18: 核心競爭優勢-策略與市場定位

    核心競爭優勢-策略與市場定位  全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ  法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商  5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨  VCSEL 14G/28G 技術成熟，用於3D感測有技術有產能  MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON及 Data Center)的 PIN 及 APD有明顯優勢  5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發 英特磊MBE技術成長InP HBT具絕對優勢 18

  19. Slide 19: 季營業額及毛利趨勢圖

    季營業額及毛利趨勢圖 營業收入 營業利益 毛利率 $300,000 50.00% 44.71% 44.50% 45.00% $250,000 39.60% 40.00% 38.70% 38.25% 36.50% 34.39% 35.80% 35.00% $200,000 34.11% 31.26% 29.16% 31.64% 30.00% 28.72% $150,000 25.00% 20.00% $100,000 15.00% 10.00% $50,000 5.00% $0 0.00% Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4-15 Q1-16 Q2-16 Q3-16

  20. Slide 20: 主要產品別銷貨收入

    主要產品別銷貨收入 年度 2013 2014 2015 2016 2017Q1 2017Q2 2017Q3 產品別 比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率 砷 化 鎵 ( GaAs) 磊 晶 片 35.1% 46.7% 51.8% 48.4% 60.3% 56.3% 56.6% 磷 化 銦 ( InP) 磊 晶 片 39.4% 31.2% 24.8% 35.0% 29.5% 29.3% 34.4% 銻 化 鎵 ( GaSb) 及 勞 務 收 入 22.4% 21.5% 22.8% 15.6% 8.5% 11.8% 7.4% 其他 3.1% 0.6% 0.6% 1.0% 1.7% 2.6% 1

  21. Slide 21: 營收展望

    營收展望  2018營收動能 SWKS(GaAs)  其他高頻應用產品 (物聯網、車聯網、國防) UMS (GaAs)  汽車防撞雷達 Keysight (InP)  5G 高頻量測產品(InP, GaAs) 光通訊 (InP)  PIN/APD for 10G PON, Data Center LD driver, TIA GaSb-IR  進入量產商業化產品 • 2018~2020 * VCSEL 用於3D感測及Data Center (2018年度重點) * InP HBT可望成為5G手機PA 磊晶首選材料 21

  22. Slide 22: 70,000平方英呎新廠完成: 111 Ridgemont Drive

    70,000平方英呎新廠完成:111 Ridgemont Drive • 建廠時程: –破土(9/15/16) –建物主結構(2/1/17) 建物屋頂 (2/24/17) –消防通道(7/1/17) –MBE 廠務設施(7/31/17) –無塵室完成與認證(8/15/17) –聯外道路完成(11/17) First two 4x6in Riber6000 MBEs New facility Cleanroom 22 22

  23. Slide 23: Q&A

    | (2 intelli EP/ Pe. nal nal KE AK’ GLa Ala 2 Q&A

IntelliEPI Inc. (Cayman) — Conference Presentation (December 2017) on 6ix